如何让电动汽车的电能损耗再低1千瓦时，续航里程再多10公里？瞄准这一点，湖南三安半导体有限责任公司（以下简称“湖南三安”）加快在碳化硅产品上的研发与应用，让拥有耐高压、耐高温、低损耗等优越性能的碳化硅器件成为解题关键。

　　11月17日，记者来到湖南三安M2B碳化硅芯片厂房，只见一台台设备整齐排列，身穿洁净服的技术人员熟练操作各类设备，观察产品各项参数运行情况。

　　“你可以把碳化硅想象成一种超级高效、耐高压的‘电源’或‘能量控制器’。”湖南三安半导体有限责任公司研发中心项目管理负责人刘冰冰告诉记者，在新能源时代，碳化硅就像一个超级能干的“交通指挥官”，负责控制和管理电能传输，在需要处理大电流和高电压的地方更是特别好用。

　　碳化硅是提升电动汽车性能的核心控制部件之一。与传统用于制造芯片的硅材料相比，碳化硅能显著降低能量在转换和传输过程中的损耗，可以耐更高电压和温度。这意味着，碳化硅器件能让电动汽车的充电速度更快、续航里程更长、电机控制器体积更小。

　　在M2B碳化硅芯片的生产车间外，刘冰冰透过透明窗户向记者介绍，医院ICU病房杀菌消毒参照十万级标准，而M2B芯片厂房为百级标准，衬底、外延等单体厂房至少是千级洁净度，比医院手术室还“洁净”好几个数量级。目前，湖南三安的碳化硅芯片及器件已大量出货，广泛应用于新能源汽车、光伏储能、充电桩、通信电源、服务器电源、消费电子等多个领域。

　　“最近，我们的8英寸碳化硅芯片生产线已实现规模化通线，产能正稳步爬升，产品良率处于行业领先水平。”刘冰冰介绍，这不仅是国内首批实现量产的8英寸碳化硅产线，也是国内首条8英寸碳化硅全产业链贯通的平台，标志着湖南在碳化硅半导体产业上迈入国际第一梯队。

　　湖南三安正在积极推进和扩大8英寸碳化硅芯片的产能建设，加速高端碳化硅芯片的国产化替代进程。今年9月，湖南三安与赛晶半导体正式建立战略合作伙伴关系。这是一次典型的产业链优势互补——湖南三安擅长碳化硅材料制备、芯片制造与封测，而赛晶半导体则精于大功率芯片设计和模块封装。此次合作，双方将共同开发性能更优、可靠性更高的新一代碳化硅产品，为新能源汽车、光伏储能、工业电机等领域提供更高效的解决方案。

　　“我们致力于打造覆盖衬底、外延、芯片制造及封测的完整垂直产业链。”刘冰冰说，位于湖南湘江新区的三安半导体产业园总投资高达160亿元，达产后将具备年产36万片6英寸和48万片8英寸碳化硅晶圆的能力。